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RJK6006DPD中文资料

厂家型号

RJK6006DPD

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7

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJK6006DPD数据手册规格书PDF详情

Features

Low on-state resistance

RDS(on)= 1.4Ω typ. (at ID= 2.5 A, VGS= 10 V, Ta = 25oC)

High speed switching

RJK6006DPD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK6006DPD

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-6 14:07:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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