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RJK5012DPE中文资料

厂家型号

RJK5012DPE

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4

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJK5012DPE数据手册规格书PDF详情

Features

Low on-resistance

RDS(on) = 0.515Ω typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25℃)

Low leakage current

High speed switching

RJK5012DPE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK5012DPE

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-8 9:00:00
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