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RJK03C1DPB-00-J5中文资料

厂家型号

RJK03C1DPB-00-J5

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268.92Kbytes

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7

功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJK03C1DPB-00-J5数据手册规格书PDF详情

Features

• High speed switching

• Capable of 4.5 V gate drive

• Low drive current

• High density mounting

• Low on-resistance

RDS(on) = 1.7 mΩ typ. (at VGS = 10 V)

• Pb-free

• Halogen-free

更新时间:2025-10-6 13:01:00
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