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厂家型号	RJK0204DPA
文件大小	85.84Kbytes
页面数量	7页
功能描述	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

Features

• High speed switching

• Capable of 4.5 V gate drive

• Low drive current

• High density mounting

• Low on-resistance RDS(on) = 2.2 mΩ typ. (at VGS = 10 V)

• Pb-free

• Halogen-free

类型
描述
型号
RJK0204DPA
制造商
RENESAS
制造商全称
Renesas Technology Corp
功能描述
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

RJK0204DPA供应商...

更新时间：2025-10-7 14:14:00

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