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RJH60F0DPK中文资料

厂家型号

RJH60F0DPK

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4

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJH60F0DPK数据手册规格书PDF详情

Features

• Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

• Built in fast recovery diode in one package

• Trench gate and thin wafer technology

• High speed switching tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

RJH60F0DPK产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJH60F0DPK

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-16 19:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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RJH60F0DPK-00#T0 价格

参考价格:¥11.5977

型号:RJH60F0DPK-00#T0 品牌:Renesas 备注:这里有RJH60F0DPK多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,RJH60F0DPK批发/采购报价,RJH60F0DPK行情走势销售排排榜,RJH60F0DPK报价。