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RJH60D0DPM中文资料
RJH60D0DPM数据手册规格书PDF详情
Features
• Short circuit withstand time (5 μs typ.)
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 22 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tf = 70 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 22 A, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)
RJH60D0DPM产品属性
- 类型
描述
- 型号
RJH60D0DPM
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel IGBT
- Application
Inverter
更新时间：2025-10-6 15:10:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
24+ |
TO-3PFM |
4000 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
RENESAS |
2430+ |
TO-3PFM |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3PF-3 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-3PFM |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Renesas |
22+ |
TO3PFM |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
RENESAS |
19+ |
TO-3PFM |
4000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-3PFM |
6500 |
原厂原装正品 |
|||
RENESAS |
2023+ |
TO-3PFM |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
Renesas Electronics America In |
25+ |
TO-220-3 整包 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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