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NX5315EH中文资料

厂家型号

NX5315EH

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11

功能描述

LASER DIODE

1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NX5315EH数据手册规格书PDF详情

1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION

InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

DESCRIPTION

The NX5315EH is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured

Fabry-Perot (FP) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. This device is

designed for application up to 1.25 Gb/s.

APPLICATION

• FTTH PON (B-PON, G-PON, GE-PON 10 km) system

FEATURES

• Optical output power Po = 13.0 mW

• Low threshold current lth = 6 mA

• Differential Efficiency ηd = 0.5 W/A

• Wide operating temperature range TC = −40 to +85°C

• InGaAs monitor PIN-PD

• CAN package φ 5.6 mm

• Focal point 6.35 mm

NX5315EH产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NX5315EH

  • 制造商

    CEL

  • 制造商全称

    CEL

  • 功能描述

    1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

更新时间:2026-2-12 10:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
25+
DIP
47
现货
NEC
24+
DIP
5000
全现原装公司现货
NEC
23+
DIP
50000
全新原装正品现货,支持订货
NEC
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NEC
2023+
DIP
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
NEC
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50000
全新原装正品现货,支持订货
Pericom Saronix-eCera
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