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DESCRIPTION

The NP80N055MDG, NP80N055NDG, and NP80N055PDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

FEATURES

• Logic level

• Super low on-state resistance

- NP80N055MDG, NP80N055NDG

RDS(on)1 = 6.9 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 11.2 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

- NP80N055PDG

RDS(on)1 = 6.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)

RDS(on)2 = 10.9 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)

• High current rating

ID(DC) = ±80 A

• Low input capacitance

Ciss = 4600 pF TYP.

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

NP80N055NDG供应商...

更新时间：2026-2-16 10:30:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市安富世纪电子有限公司	NP80N06MLG	RENESAS/瑞萨	20+	TO-220	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
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