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NP80N055MDG中文资料
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DESCRIPTION
The NP80N055MDG, NP80N055NDG, and NP80N055PDG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
FEATURES
• Logic level
• Super low on-state resistance
- NP80N055MDG, NP80N055NDG
RDS(on)1 = 6.9 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)
RDS(on)2 = 11.2 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)
- NP80N055PDG
RDS(on)1 = 6.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 40 A)
RDS(on)2 = 10.9 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 35 A)
• High current rating
ID(DC) = ±80 A
• Low input capacitance
Ciss = 4600 pF TYP.
• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
NP80N055MDG产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP80N055MDG
- 功能描述
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-220 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-220 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
TO-220 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-220 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
24+ |
N/A |
75000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
恩XP |
23+ |
SO-8 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
R |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
NEC |
23+ |
TO-220 |
33000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
R |
24+ |
T0-220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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- FYA-R1206ZX-3
- FYA-R1308ZX
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- FYCL-S11.4X64B2
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- FYCL-S11X16B3
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- NP80N04PLG-E1B-AY
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- NP82N06NLG
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Datasheet数据表PDF页码索引
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