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芯片资料

精确

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SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

FEATURES

• Channel temperature 175 degree rated

• Super low on-state resistance

RDS(on) = 3.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 30 A)

• High current rating

ID(DC) = ±60 A

• Low input capacitance

Ciss = 5000 pF TYP.

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

NP60N03SUG-E1-AY供应商...

更新时间：2025-10-16 14:14:00

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