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NP35N04YLG-E1-AY中文资料

厂家型号

NP35N04YLG-E1-AY

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8

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NP35N04YLG-E1-AY数据手册规格书PDF详情

Description

The NP35N04YLG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features

• Low on-state resistance

⎯ RDS(on) = 9.7 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A)

⎯ RDS(on) = 15 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 17.5 A)

• Logic level drive type

• Gate to Source ESD protection diode built in

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

更新时间:2025-10-29 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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