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NE850R599中文资料

厂家型号

NE850R599

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10

功能描述

GaAs MES FET

射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NE850R599数据手册规格书PDF详情

The NE850R599 power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on.

The device incorporates Ti-AI gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink)

NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.

FEATURES

• Class A operation

• High power output

• High reliability

NE850R599产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE850R599

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 0.5W C-Band MESFET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-10-10 13:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
23+
SOT423
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
2016+
SOT423
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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进口原装现货,假一赔十
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RENESAS/瑞萨
24+
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