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NE52118中文资料

厂家型号

NE52118

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14

功能描述

GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NE52118数据手册规格书PDF详情

L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER

NPN GaAs HBT

FEATURES

· For Low Noise & High Gain amplifiers

NF = 1.0 dB TYP. Ga = 15.0 dB TYP. MSG = 15.0 dB TYP. (@f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 3 mA, ZS = ZL = 50 W)

OIP3 = 15 dBm TYP. (@f = 2 GHz, VCE = 2 V, IC = 3 mA, ZS = ZL = 50 W)

· 4-pin super minimold package

· Grounded Emitter Transistor

NE52118产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE52118

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT

更新时间:2025-11-30 14:13:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
25+
SOT-343
20300
RENESAS/瑞萨原装特价NE52118-T1即刻询购立享优惠#长期有货
RENESAS/瑞萨
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SOT-343
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SOT-343
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NEC
23+
SOT-343
50000
全新原装正品现货,支持订货
NEC
21+
SOT-343
10000
原装现货假一罚十
NEC
22+
SOT-343
6000
十年配单,只做原装