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HS9-4080AEH-Q中文资料

厂家型号

HS9-4080AEH-Q

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370.78Kbytes

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8

功能描述

Radiation Hardened Full Bridge N-Channel FET Driver

数据手册

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生产厂商

RENESAS

HS9-4080AEH-Q数据手册规格书PDF详情

Features

• Electrically screened to SMD # 5962-99617

• QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements

• TID Rad Hard Assurance (RHA) testing

- HDR (50 - 300 rad(Si)/s) . . . . . . . . . . . . . 300krad(Si) (max)

- HDR (0.01 rad(Si)/s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50krad(Si)

• Latch-up immune RSG DI process

• Drives N-Channel FET full bridge including high-side chop

capability

• Bootstrap supply max voltage to 95VDC

• TTL comparator input levels

• Drives 1000pF load with rise and fall times of 50ns

• User-programmable dead time

• Charge-pump and bootstrap maintain upper bias supplies

• DIS (Disable) pin pulls gates low

• Operates from single supply. . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V to 15V

• Low power consumption

• Undervoltage protection

更新时间:2024-3-26 15:06:00
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