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HS9-3530AEH-Q中文资料

厂家型号

HS9-3530AEH-Q

文件大小

339.35Kbytes

页面数量

7

功能描述

Radiation Hardened Programmable Low Power Op Amps

LOW POWER RAD HARD PROGRAMMABLE OP AMP, FP, CLASS V, HDR/LDR - Trays

数据手册

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简称

RENESAS瑞萨

生产厂商

Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

HS9-3530AEH-Q数据手册规格书PDF详情

- Single event latch-up . . . . . . . . . Immune (RSG DI Process)

- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 300krad(Si)

- Low dose rate (0.01rad(SI)/s) . . . . . . . . . . . . . . 50krad(Si)

• Wide range AC programming

- Slew rate . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.025 to 0.1V/μs

- Gain X bandwidth. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30kHz to 750kHz

• Wide range DC programming

- Power supply range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±3.0V to ±15V

• Supply current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15μA to 150μA

• Output current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25mA to 2.5mA

• Quiescent power. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.8mW (max)

• Dielectrically isolated device islands

• Short-circuit protection

• Full -55°C to +125°C military temperature range

HS9-3530AEH-Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HS9-3530AEH-Q

  • 制造商

    Intersil Corporation

  • 功能描述

    LOW POWER RAD HARD PROGRAMMABLE OP AMP, FP, CLASS V, HDR/LDR - Trays

更新时间:2025-6-23 16:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 115138条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为