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HS9-303CEHSLASHPROTO中文资料

厂家型号

HS9-303CEHSLASHPROTO

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521.58Kbytes

页面数量

14

功能描述

Radiation Hardened BiCMOS Dual SPDT Analog Switch

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

HS9-303CEHSLASHPROTO数据手册规格书PDF详情

Features

• QML, per MIL-PRF-38535

• No latch-up, dielectrically isolated device islands

• Pinout and functionally compatible with the

HS-303RH series of analog switches

• Analog signal range equal to the supply voltage

range

• Low leakage: 150nA (max, post-rad)

• Low rON: 60Ω (max, post-rad)

• Low standby supply current: ±150μA (max,

post-rad)

• Radiation assurance

○ High dose rate (50 to 300rad(Si)/s): 100krad(Si)

○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 50krad(Si) (Note 1)

• Single event effects

○ For LET = 60MeV·cm2/mg at 60° incident angle,

<150pC charge transferred to the output of an off

switch (based on SOI design calculations)

更新时间:2025-4-30 14:50:00
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 113510条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为