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GRM155B31H103KA88中文资料

厂家型号

GRM155B31H103KA88

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16

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

数据手册

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生产厂商

RENESAS

GRM155B31H103KA88数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

更新时间:2025-10-31 15:33:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MURATA(村田)
2021/2022+
标准封装
20000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
MURATA(村田)
24+
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21478
村田全系列可订货,免费送样,账期支持!
村田/MURATA
24+
20000
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MURATA
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23+
标准封装
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村田muRata
23+
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
muRata(村田)
24+
0402
10000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
MURATA
23+
SMD
7803
专注配单,只做原装进口现货