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GRM1552C1H6R0DZ01中文资料

厂家型号

GRM1552C1H6R0DZ01

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功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

数据手册

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生产厂商

RENESAS

GRM1552C1H6R0DZ01数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• The NESG3033M14 is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.0 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 15 mA, f = 2.0 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• This product is improvement of ESD of NESG3032M14.

• 4-pin lead-less minimold (M14, 1208 PKG)

更新时间:2025-10-20 13:40:00
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