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BB501MAS-TL-E中文资料

厂家型号

BB501MAS-TL-E

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11

功能描述

Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

数据手册

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生产厂商

RENESAS

BB501MAS-TL-E数据手册规格书PDF详情

Features

• Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space.

• High gain; PG = 21.5 dB typ. at f = 900 MHz

• Low noise; NF = 1.85 dB typ. at f = 900 MHz

• Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.

• Provide mini mold packages; MPAK-4(SOT-143Rmod)

BB501MAS-TL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BB501MAS-TL-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Built in Biasing Circuit MOS FET IC UHF RF Amplifier

更新时间:2026-1-27 16:42:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
22+
SOT-143
8000
原装正品支持实单
RENESAS
22+
SOT343
20000
公司只有原装 品质保证
RENESAS
25+
SOT343
3200
全新原装、诚信经营、公司现货销售
RENESAS
2023+
SOT343
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
20+
SOT343
2050
进口原装现货,假一赔十
RENESAS
25+
SOT343
8800
公司只做原装,详情请咨询
RENESAS
24+
SOT343
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
2511
SOT343
2050
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS/瑞萨
23+
SOT343
54362
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详