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芯片资料

精确

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厂家型号	71V2576S150BGI
文件大小	822.05Kbytes
页面数量	23页
功能描述	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

Features

◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆ Supports high system speed:

Commercial and Industrial:

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write

enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆ 3.3V core power supply

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ 2.5V I/O

◆ Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

compliant)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball

grid array (fBGA)

71V2576S150BGI供应商...

更新时间：2026-2-15 19:10:00

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