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5962F9581306V9A中文资料

厂家型号

5962F9581306V9A

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7

功能描述

Radiation Hardened CMOS Dual SPDT Analog Switch

数据手册

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生产厂商

RENESAS

5962F9581306V9A数据手册规格书PDF详情

Features

• QML, per MIL-PRF-38535

• Radiation performance

○ Total dose: 3x105rad(Si)

○ SEE: For LET = 60MeV•cm2/mg at 60° incident

angle, <150pC charge transferred to the output of

an off switch (based on SOI design calculations)

• No latch-up, dielectrically isolated device islands

• Pinout and functionally compatible with Renesas

HS-303RH and HI-303 series analog switches

• Analog signal range equal to the supply voltage

range

• Low leakage: 100nA (max, post-rad)

• Low rON: 70Ω (max, post-rad)

• Low standby supply current: +150μA/-100μA

(max, post-rad)

更新时间:2025-11-1 9:28:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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