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2SK3668中文资料

厂家型号

2SK3668

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK3668数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3668 is N-channel DMOS FET device that

features a low on-state resistance, low charge and

excellent switching characteristics, designed for high

voltage applications such as high intensity discharge

lamp drive.

FEATURES

• Low gate charge

QG = 26 nC TYP. (VDD = 320 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)

• Gate voltage rating: ±30 V

• Low on-state resistance

RDS(on) = 0.55 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)

• Surface mount package available

更新时间:2025-10-30 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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