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2SK3639中文资料

厂家型号

2SK3639

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9

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK3639数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3639 is N-channel MOS FET device that

features a low on-state resistance and excellent switching

characteristics, and designed for low voltage high current

applications such as DC/DC converter with synchronous

rectifier.

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 5.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 32 A)

RDS(on)2 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 32 A)

• Low Ciss: Ciss = 2400 pF TYP.

更新时间:2026-2-2 17:24:00
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