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2SK3507中文资料

厂家型号

2SK3507

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306.47Kbytes

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK3507数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3507 is N-channel MOS FET device that features

a low on-state resistance and excellent switching characteristics,

designed for low voltage high current applications such as DC/DC

converter with synchronous rectifier.

FEATURES

• 4.5 V drive available

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 45 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 11 A)

• Low gate charge

QG = 8.5 nC TYP. (VDD = 24 V, VGS = 10 V, ID = 22 A)

• Built-in G-S protection diode

• Surface mount package available

更新时间:2026-2-4 14:14:00
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