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2SK3306B-S17-AY中文资料

厂家型号

2SK3306B-S17-AY

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378.24Kbytes

页面数量

9

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK3306B-S17-AY数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The 2SK3306B is N-Channel MOSFET device that features a low gate charge and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.

FEATURES

• Low gate charge

QG = 13 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 5.0 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Low on-state resistance

RDS(on) = 1.5 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.5 A)

• Avalanche capability ratings

更新时间:2026-2-24 11:06:00
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