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2SK3233-E中文资料

厂家型号

2SK3233-E

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9

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK3233-E数据手册规格书PDF详情

Features

• Low on-resistance: RDS (on) = 1.1 Ω typ.

• Low leakage current: IDSS = 1 µA max (at VDS = 500 V)

• High speed switching: tf = 15 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 2.5 A)

• Low gate charge: Qg = 15 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 5 A)

• Avalanche ratings

更新时间:2026-1-28 16:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
17+
TO-3P
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