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2SK3082L-E中文资料

厂家型号

2SK3082L-E

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9

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK3082L-E数据手册规格书PDF详情

Features

• Low on-resistance RDS(on) = 0.055 Ω typ.

• High speed switching

• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

2SK3082L-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3082L-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2026-1-31 16:29:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
D2PAK
56520
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
RENESAS/瑞萨
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS/瑞萨
24+
TO-252
60000
RENESAS/瑞萨
TO-263
22+
6000
十年配单,只做原装
RENESAS/瑞萨
20+
TO-263
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
2SK3082STL
25+
916
916
HITACHI
05+
TO-263
800
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
R
25+
LDPAK(S)-(1)TO-
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产
NEC
26+
原厂原封装
86720
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