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2SK2932-E中文资料

厂家型号

2SK2932-E

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87.3Kbytes

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8

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK2932-E数据手册规格书PDF详情

Features

• Low on-resistance

RDS =0.055 Ω typ.

• High speed switching

• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source

更新时间:2025-10-15 15:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
7350
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Renesas
17+
TO-220CFM
6200
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220
50000
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RENESAS/瑞萨
24+
TO-220
60000
TOSHIBA
24+
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