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2SK2912S数据手册规格书PDF详情
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS= 15 mΩtyp.
• High speed switching
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
更新时间：2025-10-18 14:02:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
32500 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-263 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
25800 |
原装正品支持实单 |
|||
reNESAS |
24+ |
30000 |
|||||
HITACHI |
25+ |
TO-252 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
|||
HITACHI |
12+ |
SOT-263 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
恩XP |
23+ |
TO-126 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
HITACHI |
1922+ |
SOT263 |
2000 |
公司原装现货特价处理 |
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- PAM2306EN1YPHA
- PAM2306FB1YPEA
- PAM2306FB2YPEA
- R1EX25002ASA00I
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- R1EX25002ATA00I
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