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2SK2851TZ-E中文资料

厂家型号

2SK2851TZ-E

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206.81Kbytes

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10

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK2851TZ-E数据手册规格书PDF详情

Features

• Low on-resistance

RDS(on) = 0.055 Ω typ. (at VGS = 10 V, ID = 2.5 A)

• 4 V gate drive devices.

• Large current capacitance

ID = 5 A

更新时间:2025-12-15 15:45:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS(瑞萨)/IDT
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