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芯片资料

精确

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Features

• Low on-resistance.

• RDS(on) = 2.6 Ω max. (at VGS = 4 V, ID = 100 mA)

• 2.5 V gate drive device.

• Small package (MPAK).

Application

High speed power switching

2SK2569ZN-TL-E供应商...

更新时间：2025-11-24 13:36:00

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