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2SJ542-E中文资料

厂家型号

2SJ542-E

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87.91Kbytes

页面数量

8

功能描述

Silicon P Channel MOS FET

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SJ542-E数据手册规格书PDF详情

Description

High speed power switching

Features

• Low on-resistance

RDS (on) = 0.050 Ω typ.

• Low drive current.

• 4 V gate drive devices.

• High speed switching.

更新时间:2026-1-29 19:07:00
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