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厂家型号	2SC5761
文件大小	305.1Kbytes
页面数量	16页
功能描述	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

FEATURES

• Ideal for low noise ⋅ high-gain amplification

NF = 0.9 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 20.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz

• SiGe technology (fT = 60 GHz, fmax = 60 GHz)

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package

2SC5761供应商...

更新时间：2025-10-9 18:51:00

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