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2SB601中文资料

厂家型号

2SB601

文件大小

261.91Kbytes

页面数量

8

功能描述

SILICON POWER TRANSISTOR

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

数据手册

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生产厂商

Renesas Electronics America

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

2SB601产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SB601

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

更新时间:2024-5-22 8:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SAM
16+
原厂封装
3000
原装现货假一罚十
NSC
98
2927
TOS
16+
TO-220
100000
全新原装现货
NEC
2339+
8858
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
ST
1738+
TO-220
8529
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!
ISC
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
NEC
21+
TO-220
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
23+
N/A
90050
正品授权货源可靠
NEC
1746+
TO220
8862
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品!
NXP
23+
TO-TO-220
33500
全新原装真实库存含13点增值税票!

2SB601 晶体管资料

  • 2SB601别名:2SB601三极管、2SB601晶体管、2SB601晶体三极管

  • 2SB601生产厂家:日本日电公司

  • 2SB601制作材料:Si-P+Darl+Di

  • 2SB601性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SB601封装形式:直插封装

  • 2SB601极限工作电压:100V

  • 2SB601最大电流允许值:5A

  • 2SB601最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 2SB601引脚数:3

  • 2SB601最大耗散功率:30W

  • 2SB601放大倍数:β>2000

  • 2SB601图片代号:B-89

  • 2SB601vtest:100

  • 2SB601htest:999900

  • 2SB601atest:5

  • 2SB601wtest:30

  • 2SB601代换 2SB601用什么型号代替:BD264B,BD650,BD702,BD902,BDW24C,BDW64C,BDW64D,BD650,FC50B,

RENESAS相关电路图

  • RESI
  • REYCONNS
  • RF
  • RFBEAM
  • RFE
  • RFHIC
  • rfm
  • RFMD
  • RFSOLUTIONS
  • RFX
  • RHOMBUS-IND
  • RHOPOINT

Renesas Electronics America 瑞萨科技有限公司

中文资料: 108969条

(RENESAS)于2003年4月1日—由日立制作所半导体部门和三菱电机半导体部门合并成立。RENESAS结合了日立与三菱在半导体领域方面的先进技术和丰富经验,是无线网络、汽车、消费与工业市场设计制造嵌入式半导体的全球领先供应商。创立日期2003年4月1日公司法人董事长&CEO伊藤达业务范围单片机逻辑模拟等的系统LSI、分立半导体元件、SRAM等的存储器开发、设计、制造、销售、服务的提供。集团成员44家公司(日本20家,日本以外24家)年度销售额2006财年(截止至2007年3月):9526亿日元(约83亿美元)从业人员:26000人(全世界20个国家、43家公司)瑞萨科技是世界十大半导体芯片