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RM6N100S4中文资料

厂家型号

RM6N100S4

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8

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

RECTRON

RM6N100S4数据手册规格书PDF详情

General Features

VDS = 100V,ID = 6A

RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=10V (Typ:110mΩ)

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

更新时间:2025-10-7 11:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
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56000
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