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RM2A3P60S4中文资料

厂家型号

RM2A3P60S4

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6

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

RECTRON

RM2A3P60S4数据手册规格书PDF详情

General Features

VDS = -60V,ID = -2.3A

RDS(ON) < 180mΩ @ VGS=-10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

RDS(ON)

更新时间:2025-10-8 11:06:00
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