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RM1A2N20ES2中文资料

厂家型号

RM1A2N20ES2

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5

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

RECTRON

RM1A2N20ES2数据手册规格书PDF详情

General Features

VDS = 20V,ID = 1.2A

RDS(ON) < 0.18Ω @ VGS==4.5V

RDS(ON) < 0.22Ω @ VGS=2.5V

Lead free product is acquired

ESD protected up to 4.0KV (HBM)

更新时间:2025-10-7 14:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NK/南科功率
2025+
SOT-23
986966
国产
24+
N/A
64000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
Carlo Gavazzi Inc.
23+
Hockey Puck
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Carlo Gavazzi- Inc.
2022+
5
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