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RM003N600ES2中文资料

厂家型号

RM003N600ES2

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161.06Kbytes

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5

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

Rectron Semiconductor

简称

RECTRON

中文名称

官网

LOGO

RM003N600ES2数据手册规格书PDF详情

Description

The RM003N600ES2 is an enhancement N-channel mode Power

FET, it uses advanced tec hnology to provide customers ultra

high switching speed and ultra low gate charge.

General Features

* RDS(ON)< 600 @ VGS= 4.5V, ID=0.016A

RDS(ON)< 500 @ VGS=10V, ID=0.016A

* Ultra Low Gate Charge (Typical 140nC)

* Ultra High Switching Speed

* Halogen-free

更新时间:2025-5-2 14:26:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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现货

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  • RF

Rectron Semiconductor

中文资料: 8286条

Rectron Limited成立于1976年,最初在台湾台北的土城区由一支经验丰富的半导体工程师团队创办。公司致力于提供优质的分立半导体产品,迅速在市场中建立了良好的声誉。通过与独家分销商和代理商的合作,Rectron于1981年成功进入全球半导体市场,销售收入显著增长。 为了增强竞争优势,Rectron于1994年在中国设立了生产工厂,以扩展其分立产品的生产能力。随着业务的不断发展,Rectron已成为半导体行业的重要参与者,持续致力于提供高质量的产品和服务,以满足客户的需求。