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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RUS100N02

Nch 20V 10A 中功率MOSFET

• Low on - resistance.\n• High Power small mold Package (SOP8)\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant;

ROHM

罗姆

RUS100N02

Nch 20V 10A Middle Power MOSFET

文件：2.85249 Mbytes Page：12 Pages

ROHM

罗姆

RUS100N02TB

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件：1.00659 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

100N02

100A, 15V N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET

文件：133.68 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

HM100N02

丝印代码：HM100N02；High density cell design for ultra low Rdson

文件：778.92 Kbytes Page：6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

HM100N02K

丝印代码：HM100N02K；High density cell design for ultra low Rdson

文件：550.6 Kbytes Page：6 Pages

HMSEMI

华之美半导体

RUS100N02产品属性

  • 类型

    描述

  • Status：

    新设计非推荐

  • 封装：

    SOP8

  • 包装数量：

    2500

  • 最小独立包装数量：

    2500

  • 包装形态：

    Taping

  • RoHS：

    Yes

  • Grade：

    Standard

  • Package Code：

    SOP8

  • Package Size[mm]：

    5.0x6.0 (t=1.75)

  • Number of terminal：

    8

  • Polarity：

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]：

    20

  • Drain Current ID[A]：

    10.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：

    0.013

  • RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：

    0.009

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：

    0.008

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：

    0.013

  • Total gate charge Qg[nC]：

    24.0

  • Power Dissipation (PD)[W]：

    2.0

  • Drive Voltage[V]：

    1.5

  • Mounting Style：

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]：

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]：

    150

RUS100N02供应商更多...

更新时间：2026-5-20 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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RUS100N02规格书下载地址

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    RV100F-30-4K1B-B10K-B301

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  • RUL74HC245G5

    RUL74HC245G5，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.

    2021-6-7

  • RUL5158DH4

    RUL5158DH4，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.

    2021-6-7

  • RURG8060 原装现货假一赔十

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    2020-10-10

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    2013-2-11

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