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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 60V, 9.5A, RDS(ON) = 12.5mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ Surface mount Package.

CET

华瑞

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V, 9.5A, RDS(ON) = 12.5mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

Field Service Kit, Red Large, ESD

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POMONA

Pomona Electronics

Silicon Monolithic Integrated Circuit

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ROHM

罗姆

Mulitifunction Backlight LED Driver for Small LCD Panels (Charge Pump Type)

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ROHM

罗姆

更新时间:2025-8-8 20:00:01
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CET/華瑞
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SOP-8
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华瑞/CET
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