型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RSS050P03TB

Switching (??0V, ??.0A)

文件:93.98 Kbytes Page:5 Pages

ROHM

罗姆

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G050P03K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G050P03S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G050P03T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.50799 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

RRH050P03

文件:179.72 Kbytes Page:6 Pages

ROHM

罗姆

RSS050P03TB产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RSS050P03TB

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-27 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
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SOP8
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