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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=136A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.2mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchm

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=195A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.1mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET60V,193A,3.2mW

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET60V,100A,3m?

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET60V,193A,3.2m?

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2025-8-1 11:08:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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