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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on): 44mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in switch mo

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

extremely low losses due to very low fom rdson qg and eoss

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Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

更新时间:2025-10-28 18:07:01
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