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RQ6C065BC

Pch -20V -6.5A Middle Power MOSFET

文件:2.50968 Mbytes Page:15 Pages

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

Features  AEC-Q101 qualified  No or negligible reverse recovery  Switching behavior independent of temperature  Dedicated to PFC applications  High forward surge capability  PPAP capable  ECOPACK®2 compliant component Description The SiC diode is an ultrahigh performance power

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2025-8-5 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
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全新原装鄙视假货
ROHM
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原装正品现货
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TSMT6
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SOT23-6
25000
只有原装原装,支持BOM配单

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