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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
ADG1408	5???axRon,4-/8-Channel짹15V/12V/짹5VMultiplexers GENERALDESCRIPTION TheADG1408andADG1409aremonolithicCMOSanalogmultiplexerscomprisingeightsinglechannelsandfourdifferentialchannels,respectively.TheADG1408switchesoneofeightinputstoacommonoutputasdeterminedbythe3-bitbinaryaddresslinesA0,A1,andA2.TheADG140	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG1408L	4ΩRON,8-ChanneliCMOSMultiplexerswith1.2Vand1.8VJEDECLogicCompliance FEATURES ►4.7Ωmaximumonresistanceat25°Cat±15Vdualsupply ►0.5Ωtypicalon-resistanceflatnessat25°Cat±15Vdualsupply ►Fullyspecifiedat±15V,+12V,and±5V ►VLsupplyforlow-logiclevelcompatibility ►1.8VJEDECstandardcompliant(JESD8-7A) ►1.2VJEDECstandard	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG1408YRUZ	Multi-Cal-SystemEvaluationModule 文件：2.52946 Mbytes Page：35 Pages	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
ADG1408YRUZ	4.7OHMmaximumonresistance 文件：459.14 Kbytes Page：20 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADG1408YRUZ-REEL	4.7OHMmaximumonresistance 文件：459.14 Kbytes Page：20 Pages	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

RN1408(TE85L)供应商更多...

更新时间：2025-7-3 14:38:01

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2023-3-27
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
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2022-4-24
RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔功率1/4W 温度系数±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔功率1/4W 温度系数±50ppm/°C
2020-12-4
RN2706JE
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2020-10-15
RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14