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RM6A2N250LD

丝印代码:6A2N25;N-Channel Mode Power MOSFET

Features VDS =250V,ID =6.2A RDS(ON) =430mΩ (typical) @ VGS=10V New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses Small package Ultra Low Gate Charge cause 100% Avalanche Tested ROHS compliant Halogen-free

RECTRON

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RM6A2N250LD

MOSFET

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更新时间:2026-3-18 11:38:00
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