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RM30N100T7

丝印代码:30N100;N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features VDS = 100V,ID =30A Special process technology for high ESD capability High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current Good stability and uniformity with high EAS Excellent package for good heat dissipation Halogen-free RDS(ON)

RECTRON

丽正

RM30N100T7

MOSFET

RECTRON

丽正

更新时间:2026-5-20 17:33:00
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