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RM20N650T2

丝印代码:20N650;N Channel Super Junction Power MOSFET III

Features New technology for high voltage device Low on-resistance and low conduction losses. Small package Ulra Low Gate Charge cause lower diving requirements. 100% Avalanche Tested ROHS compliant

RECTRON

丽正国际

RM20N650T2

MOSFET

RECTRON

丽正国际

更新时间:2026-3-18 17:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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