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RM2020ES6

丝印代码:2020;N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Features N-Channel Vos = 20V,lp =0.75A Rds(on) 6KV, HBM (Gate-Source Zenner) High power and current handing capab

RECTRON

丽正国际

RM2020ES6

MOSFET

RECTRON

丽正国际

更新时间:2026-3-14 18:21:00
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