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RM115N65T2

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The RM115N65T2 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Feature VDS =65V,ID =115A RDS(ON)

RECTRON

丽正国际

RM115N65T2

MOSFET

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更新时间:2025-10-24 18:02:00
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